鉅大LARGE | 點擊量:1076次 | 2018年06月10日
探討新型關(guān)于低溫生長全碳石墨炔改進硅負極鋰離子存儲性能的技術(shù)
Si負極材料是鋰離子電池中,理論儲鋰能量較高的鋰離子負極材料之一,其理論容量可達到4000mAhg-1以上。但是,Si負極材料儲鋰時,容易發(fā)生體積膨脹,導致電極粉化,電池容量急劇下降。目前,對于減少Si負極的體積膨脹對電極材料的影響,提高Si負極復合材料中的空隙體積,緩解容量急劇降低,提高Si負極電池的循環(huán)壽命等問題,是該領(lǐng)域亟待解決的重大問題。
碳材料對于改進高能量密度硅負極關(guān)鍵性能具有重要作用。近日,中國科學院化學研究所李玉良院士研究團隊結(jié)合石墨炔天然的低溫生長優(yōu)勢,在室溫下,實現(xiàn)了在硅負極上原位生長超薄的二維全碳石墨炔保護層。這種在硅負極上原位構(gòu)筑全碳材料保護層的方式是其他碳材料所不能實現(xiàn)的,具有重要的基礎和應用價值。研究人員直接在硅負極上構(gòu)筑了具有優(yōu)異機械性能和電導性能的三維石墨炔全碳網(wǎng)絡,電極組件之間形成了牢固的全碳界面接觸。該方法高效地抑制了循環(huán)過程中硅負極巨大體積變化導致的導電網(wǎng)絡和電極界面的破壞,充分的發(fā)揮了硅負極的高比容量優(yōu)勢,在0.2Ag-1時比容量達到4122mAhg-1,面積比容量高達4.72mAhcm-2。在2Ag-1下,循環(huán)1450次后,比容量仍然能夠保持1503mAhg-1。此外,這種策略在解決其他高能量密度負極的問題時,顯示出巨大的應用潛力。
圖1Si負極上GDY的表征及合成示意圖
(a)在Si負極上,原位編織超薄石墨炔納米片導電網(wǎng)絡的過程示意圖;
(b)超薄石墨炔,SiNPs和CuNWs之間相互作用的結(jié)構(gòu)示意圖;
(c)石墨炔的XRD譜圖;
(d)石墨炔的拉曼譜圖;
(e)石墨炔的XPS譜圖。
圖2原位編制網(wǎng)狀石墨炔前后的SEM對比圖
(a,b)FPCuSi編織石墨炔前的SEM圖像;
(c,d)FPCuSi編織石墨炔后的SEM圖像;
(e,f)FPCuSi編織石墨炔后的截面SEM圖像。
圖3石墨炔納米片和SiNP之間的結(jié)構(gòu)表征圖
(a)石墨炔負載Si的TEM圖像;
(b)超薄石墨炔納米片的高分辨TEM圖像;
(c)SiNP上的無縫隙涂層TEM圖像;
(d)石墨炔納米片和SiNP連接處的高分辨TEM圖像;
(e)兩個SiNP界面處的高分辨TEM圖像;
(f)石墨炔納米片和CuNWs連接處的高分辨TEM圖像;
(g)是(a)圖像中的元素分布圖。
圖4SiNPs的電化學表征圖
(a)在0.3mVs-1下,SiNPs的前4圈CV曲線圖;
(b)不同電流密度下,SiNPs的充放電曲線圖;
(c)SiNPs的倍率性能圖;
(d)在2Ag-1下,SiNPs的循環(huán)壽命圖;
(e)在5Ag-1下,SiNPs的循環(huán)壽命圖;
(f)在1Ag-1和4Ag-1下,SiNPs的循環(huán)壽命圖;
(g)在2Ag-1循環(huán)200圈前后的阻抗圖;
(h)不同Si負極的性能比較圖。
圖5CV測試前后,SiNPs的結(jié)構(gòu)演變圖
(a)在2Ag-1下,循環(huán)100圈,SiNPs的表面SEM圖像;
(b)在2Ag-1下,循環(huán)100圈,SiNPs的截面SEM圖像;
(c)在2Ag-1下,循環(huán)100圈,去除SEI膜后,SiNPs的SEM圖像;
(d)循環(huán)1450圈,去除SEI膜后,SiNPs的SEM圖像;
(e)循環(huán)1450圈,去除SEI膜后,SiNPs的TEM圖像;
(f)循環(huán)1450圈,去除SEI膜后,SiNPs的高分辨TEM圖像;
(g)是(e)圖中的元素分布圖;
(h-j)石墨炔修飾Si負極的機理示意圖。
圖6GDY納米片和SiNPs之間的連接示意圖
(a)吸附能變化和石墨炔納米片與Si聚體幾何單元的優(yōu)化圖;
(b)Si和石墨炔的俯視圖;
(c)Si和石墨炔的左視圖。
本文采用原位、超低溫方法,在Si負極上構(gòu)建三維石墨炔導電網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)。研究了循環(huán)過程中,硅負極的界面接觸和體積變化。石墨炔網(wǎng)絡提高了Si負極的機械性能和導電性。在0.2Ag-1時,其比容量高達4122mAhg-1。在2Ag-1下,循環(huán)1450后能維持1503mAhg-1,循環(huán)中表現(xiàn)出優(yōu)異的可逆性。這種策略對于提高錫,鍺和氧化的能量密度具有很高的借鑒意義。
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